Electrical and spectroscopic characterization of 7-cell Si-drift detectors

نویسندگان
چکیده

برای دانلود باید عضویت طلایی داشته باشید

برای دانلود متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

Electrical characterization of superconducting single- photon detectors

• A submitted manuscript is the author's version of the article upon submission and before peer-review. There can be important differences between the submitted version and the official published version of record. People interested in the research are advised to contact the author for the final version of the publication, or visit the DOI to the publisher's website. • The final author version ...

متن کامل

synthesis and characterization of some macrocyclic schiff bases

ماکروسیکلهای شیف باز از اهمیت زیادی در شیمی آلی و دارویی برخوردار می باشند. این ماکروسیکلها با دارابودن گروه های مناسب در مکانهای مناسب می توانند فلزاتی مثل مس، نیکل و ... را در حفره های خود به دام انداخته، کمپلکسهای پایدار تولید نمایند. در این پایان نامه ابتدا یک دی آلدئید آروماتیک از گلیسیرین تهیه می شود و در مرحله بعدی واکنش با دی آمینهای آروماتیک و یا آلیفاتیک در رقتهای بسیار زیاد منجر به ت...

15 صفحه اول

Synthesis and Characterization of Ni/Si Nanowires for Electrical Transport

Self-assembled Si nanowires (SiNWs) have been synthesized and characterized as a template for surface metal silicide formation to investigate confinement of electron transport at the nanowire surface. The SiNWs with diameters ranging from 5 to 180 nm were synthesized via the solid-liquid-solid (SLS) mechanism with a sputtered Au film as catalyst. Post-deposition thermal processing was carried o...

متن کامل

Semiconductor Drift Detectors: Applications and New Devices

Recent technological developments and new topology designs have made semiconductor drift detectors ideal devices for high-resolution x-ray spectrometry. In this paper the basic topology of a semiconductor drift detector with on-chip electronics specially designed for x-ray spectrometry is reviewed. These devices have been used for the first time in x-ray and g-ray spectroscopy applications. In ...

متن کامل

ELECTRICAL CHARACTERIZATION OF AlGaN/GaN HEMTs ON Si SUBSTRATE

Deep traps in AlGaN/GaN high electron mobility transistors on silicon substrate were characterized by the means of current-voltage and Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS). DLTS measurements have revealed only hole-trap with an activation energy of 0.82eV. The nature and the localization of this trap are discussed here.

متن کامل

ذخیره در منابع من


  با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ژورنال

عنوان ژورنال: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment

سال: 2008

ISSN: 0168-9002

DOI: 10.1016/j.nima.2007.11.007